今日,三星发布新闻稿宣布,该公司将全球首发量产512GB eUFS3.0闪存芯片。相较于目前的eUFS2.1,三星宣称eUFS3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s,提升2倍有余;随机读写速度分别为63000IOPS/68000IOPS(输入/输出),根据三星公布的数据,eUFS3.0闪存芯片比目前的eUFS2.1在随机读写速度方面提升36%。

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